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Intel固态硬盘路线图:年底34nm、320GB
2009-01-31 02:14:31  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

根据路线图,Intel的固态硬盘产品将在今年底全线转入34nm生产工艺,容量也会最高提至320GB。

2.5寸的X25-M MLC和1.8寸的X18-M MLC当前采用50nm NAND闪存芯片,容量有80/160GB两种,年底则会提供80/160/320GB三种容量,且都是34nm产物。

面向企业市场的X25-E也会升级到34nm,不过由于是SLC规格,容量只有64/128GB,但这也比目前翻了一番。

除了工艺改进、容量翻番,新款固态硬盘的控制器也会升级,因此性能自然会更好,当然价格上也会更高。

除此之外,Intel将在明年第一季度推出Turbo Memory技术的升级版“Braidwood”,将配合Q57/P57/H57等新一代芯片组为主流PC带来固态硬盘级别的性能,容量有4/8/16GB三种,同样是34nm工艺产物。

Intel固态硬盘路线图:年底34nm、320GB

 

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