在最新一期的物理学著名期刊《应用物理通讯》上，来自韩国科学技术院的5位研究人员发表了一篇论文，宣称他们制造出了全球首款透明RRAM存储元件TRRAM。

RRAM即电阻RAM，是业界普遍看好的下一代非易失性存储技术。来自韩国的这些研究者并没有在RRAM的制造技术上进行改进，而是使用氧化铟锡等透明材料作为CMOS制造工艺的原料，制造出了透光率达到81%的透明存储颗粒TRRAM。

论文的主要作者Jung Won Seo表示，此项成果是走向透明电子设备道路上的一项里程碑式成功，通过采用TRRAM和其他透明电子元件，我们距离真正实用化的全透明电子产品的距离已经不远了。

研发团队表示，TRRAM的制造工艺并不复杂，预计在3到4年内就能投入商用。他们的下一步研发方向是使用柔性材料制造可弯曲的TRRAM。