东芝、IBM和AMD三家公司今天共同宣布，他们已经使用High-K金属栅极材料，合作开发出了全球最小的SRAM单元，基于FinFET鳍式场效应管结构，面积仅有0.128平方微米。

在此之前，全球最小的SRAM单元面积约为0.274平方微米，而三家公司利用FinFET的立体结构优势，将SRAM的体积缩减了一半以上，达到0.128平方微米。三家公司在美国旧金山当地时间12月16日举行的2008国际电子设备会议上，共同宣布了这项成果。

在通常的平面结构下，半导体厂商为缩小SRAM单元体积，往往采用调整掺杂成分的方式实现。但这种方式可能会影响SRAM工作的稳定性，而在采用22nm甚至更新制程时，问题会更加突出。FinFET立体结构于是应运而生，解决了摆在进一步提高SRAM元件密度道路上的一大障碍。

此次为制造出全球最小的FinFET SRAM，三家公司对制造工艺进行了精细的改进，采用了High-K金属栅极技术，并对掺杂和去除工艺进行了调整。另外，他们还对未来若使用FinFET结构制造更小的SRAM效果进行了考察。根据他们的模拟，采用不掺杂FinFET结构制造的SRAM半导体特性偏差值改善了28%。而未来若使用22nm甚至更高工艺制造出面积为0.063平方微米的FinFET SRAM，在稳定性方面也将远远优于平面结构。