上周末，海力士宣布推出全球首款2Gb容量Mobile RAM颗粒，采用了54nm工艺。日前，尔必达也宣布他们的2Gb Mobile RAM研发完成，并采用了50nm制程工艺制造。

超低功耗的Mobile RAM内存主要用在手机或掌上影音设备、移动互联网终端中。尔必达的50nm 2Gb Mobile RAM使用了193nm浸润式光刻与铜互连技术制造。相比70nm产品，它的数据保持电流和工作电流都是前代的一半，在容量翻倍的情况下并未提高电源需求。

尔必达的2Gb Mobile RAM支持MCP多芯片封装、PoP层叠封装等封装技术，使用32bit DDR技术，频率为200MHz，传输传输率达到1.6GB/s。除JEDEC标准的1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V的低电压工作。

尔必达表示，这颗50nm 2Gb Mobile RAM将于明年上半年开始量产。