中芯国际宣布，其第一批45nm工艺芯片已经通过良率测试，这也是中芯国际与IBM在2007年12月签署高性能、低功耗Bulk CMOS工艺以来的首个成果。

在过去的11个月里，中芯国际相关生产设备全部到位，并成立了专家组与IBM合作，如今第一批完整工艺流程的300mm晶圆已经在IBM的测试条件下取得了出色的良率。

IBM授权的45nm Bulk CMOS工艺有着广泛的应用，包括移动设备里的3G基带芯片、GPS、多媒体处理器等，还可用于图形、网络、存储、一般性消费设备等。

中芯国际已经与与一系列高端客户签定了代工协定，计划于2009年开始投产45nm工艺芯片。