Micron声称已经向nVIDIA和ATi提供了800MHz 256MB的内存样品.该芯片计划将在近期发布,预计第四季就可以推出采用0.11微米工艺批量生产的G-DDR3.

HY/Samsung/Winbond都推出了GDDR-2芯片,GDDR-3芯片的推出使图形内存芯片市场增加了更多的可选产品.

JEDEC标准化组织正在制订GDDR-3规范,该规范是DDR-2规范和仍未完成的GDDR-3规范的合成,预计GDDR-3规范将在年内制订完成.

GDDR-3器件将采用135球形封装,并包含有助于提高速度的专门设计.与DDR-2相比,GDDR-3采用的是单端单向选通信号来区别读写信号,同时GDDR-3采用基于电压的"伪漏极开器"接口技术,这样做的好处是图形芯片控制器可以采用DDR,DDR-2,GDDR-3和GDDR-3中的任何一种芯片,而无需增加成本.与DDR-2类似,GDDR-3接口采用1.8V SSTL逻辑电路.