今年12月14日，第54届IEEE电子设备年会将在旧金山召开。根据已经提交的论文简介，Intel将在此次会议上展示32nm工艺试制样品。

据称，Intel已经成功采用32nm制程造出了可实现所有功能的291Mbit SRAM，共包括20亿个晶体管，单个存储单元的面积仅为0.171平方微米，运行频率3.8GHz，电压1.1V。

据称，Intel将在32nm工艺投产时首次采用浸润式光刻设备，而这款仍使用193nm深紫外激光的光刻设备将由尼康制造。另外，Intel在32nm工艺上还会使用第二代High-K金属栅极、应变硅沟道以及9级Low-K介电质等新技术。