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LCD硬刚OLED!TCL华星超高迁50氧化物全球首发量产
2026-11-11 21:26:28  出处:快科技 作者:建嘉 编辑:建嘉     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技11月11日消息,近日,TCL华星宣布超高迁50氧化物技术在G8.6大世代产线实现全球首次量产,标志着氧化物显示技术正式迈入迁移率50时代。

全球首款搭载该技术的产品为18英寸高刷电竞笔记本屏幕,相关技术成果将在DTC2026全球显示生态大会正式亮相。

该技术突破了长期以来高端显示的体验取舍困局,实现画质与能效的协同提升。

LCD硬刚OLED!TCL华星超高迁50氧化物全球首发量产
全球首支超高迁氧化物产品 · NB 18英寸高刷电竞

氧化物TFT天然具备关态电流低的特性,静态画面可维持极低频刷新,大幅降低待机功耗;驱动能力升级后,GOA电路可在更低电压、更短充电时间下工作,动态功耗同步优化。

产品可在极低频与超高刷之间自如切换,兼顾游戏影音的流畅体验与办公阅读的续航表现。

器件微型化还释放了像素透光面积,高分辨率不再以牺牲亮度为代价,同时边框走线可进一步压缩,实现更高屏占比。

LCD硬刚OLED!TCL华星超高迁50氧化物全球首发量产
前后沟道绝缘层H/O精准平衡调控体系:低缺陷界面+高致密阻隔

底层技术支撑上,TCL华星联合细野秀雄教授团队,从成膜、器件、架构三个维度构建完整技术闭环。

成膜工艺采用业内首创的联动式旋转靶溅射技术,三层膜在同一腔体内连续成膜,膜厚均一性优于5%,迁移率均值达51.6cm2/V·s;器件层面构建前后沟道绝缘层氢氧平衡调控体系,解决超高迁材料易受水汽、氢氧影响而性能劣化的稳定性难题。

电路架构采用Demux1:3+单IC方案,将数据通道与IC数量降至三分之一,同时通过新型GOA架构与散热设计,化解高迁移率带来的栅极调控减弱、阈值漂移、发热加剧等挑战。

LCD硬刚OLED!TCL华星超高迁50氧化物全球首发量产
Demux1:3+单IC技术:Data通道与IC数量降至1/3

超高迁50的量产大幅拓宽了LCD技术的价值边界,让LCD在高刷笔记本、高端显示器等市场具备与OLED同台竞争的能力,同时保留了低成本、长寿命、无烧屏的天然优势。

此外该技术还可延伸至VR/AR、医疗显示、车载显示等新兴场景,凭借高刷低眩晕、高色彩还原、高可靠性的特性适配多元需求。

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责任编辑:建嘉

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