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中国存储从追赶到输出!DRAM教父:长鑫产能将冲击全球、长江实力全球领先
2026-11-11 14:49:29  出处:快科技 作者:黑白 编辑:黑白     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技11月11日消息,拥有DRAM教父之称的兆捷科技董事长高启全,在11月10日兆捷科技上市前媒体交流会上表示,长鑫存储已在北京、上海等地大举扩建,规模极为庞大,“两年后产能将大量开出”,届时全球DRAM市场将陷入供过于求。

高启全曾任南亚科总经理、华亚科董事长,并在英特尔、台积电任职,在中国台湾存储产业圈具有相当分量。

他特别反驳了业界流传的乐观判断,即“中国大陆产能仅供内需,不致影响全球市场”。高启全认为这只是当前短期表象,即便长鑫存储因缺乏EUV设备而使用成熟制程,产能一旦大量倾泻,市场仍将出现严重供过于求。

中国存储从追赶到输出!DRAM教父:长鑫产能将冲击全球、长江实力全球领先

高启全还谈及NAND Flash市场的竞争态势,他提到早年参与创立的长江存储,其NAND Flash技术已具备全球领先实力,甚至将专利授权给三星与美光。

如今长江存储围绕Xtacking架构的全球专利超过12800件,其中混合键合核心专利119件,2025年三星已与长江存储签署3D NAND Flash混合键合专利许可协议,从V10 NAND开始使用该技术。

高启全还指出,一旦市场短缺,国际终端客户仍会向中国大陆供应商采购,美国政府也难以全面阻绝。

中国存储从追赶到输出!DRAM教父:长鑫产能将冲击全球、长江实力全球领先

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