[SSD的发展轨迹]

如果从最开始的研发时间起开始计算，SSD固态存储器的发展其实已经有20多年的历史了，固态存储器在早期的大部分时间里，主要用在军用嵌入系统中，或者高性能计算的研究实验室中。随着科技的进步，成本的不断降低，如今的固态存储技术已逐渐被应用到民用的消费级产品中。多家国际存储大厂分别发布了自己的相关产品，目前最高容量已经达到了250GB，采用主流的SATA接口，主要用于需要高速度和高便携性的计算机上。

如今，SSD固态存储市场已经从整个存储市场中细分了出来，技术逐步成熟和完善，而且已经在笔记本电脑及大型主机等领域得到应用，商业领域也已经涉及到金融、电信、医疗、电力、航空、邮电等行业。

但是，SSD的缺点也显而易见，最突出的就是价格高。不可否认，SSD的价格正呈逐年下降趋势，但从目前的价格水平看，仍高出传统硬盘数倍。一个1TB的传统硬盘的价格约为1000-1200元，而同样的价格却只能买到32GB容量的SSD，每GB单价差距依然相当巨大。虽然各大SSD储存厂商都表示将尽快时推出较低价格的SSD，但也不否认，即便如此，SSD和传统硬盘之间的价格差短期内仍会十分明显。

但不管怎么样，新事物的诞生总是充满曲折的，储存革命同样也不例外，以往的批判者们老是拿SSD的低容量说事，但SSD的最高容量已经达到了250GB，并且有着冲击更高的劲头，低容量的产品价格也相对以前开始了大幅度的跳水，这使我们有理由相信，有着重量轻、体积小、速度快等卓越性能的SSD固态存储器，在成本逐渐降低后，将有望成为新一代的电脑存储标准。

但仅仅是理论上的言论也没有什么实际意义，今天我们驱动之家评测室就拿到了来自半导体工业头号巨人Intel的这款即将使用代号X25-M来发布的SSD产品，采用MLC技术制造，容量为80GB。

关于SLC和MLC

NAND闪存可分为两大架构：单层单元（Single Level Cell），SLC和多层单元（Multi Level Cell），MLC。

SLC是基础的NAND闪存技术，与EEPROM的原理类似（整个NAND闪存都是东芝根据EEPROM发展开发的）。其工作原理简单来说，是在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），数据是0或1取决于浮动栅中是否有电荷。有电荷为0，无电荷为1。写入时只有数据为0时才进行写入，写入方式是向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电荷能量。电荷突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。

采用这样的方式在每个Cell中可存储1个bit的信息，其特点是稳定、读写速度快，但Cell可写入次数为10万次，三星是SLC是主要倡导者。但是SLC也有很大的缺点，就是同面积容量比较小，并且由于先天上的限制，基本上很难再往前发展。

1997年，Intel率先研发成功MLC，其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个浮动栅，然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。MLC由于成本低，容量大，问世以来得到了Intel、东芝、Hynix等多家闪存大厂的支持，其中东芝更是大力发展MLC技术。不过，MLC也有其缺点，那就是工作不如SLC稳定，读写速度也比SLC慢。还有，MLC的可写入次数为1万次。因此，MLC曾一度被误解为劣质闪存芯片。不过，由于容量上的先天优势，MLC技术也在不断改进和发展。

在我们手里的这款产品是Intel的工程样品，2.5英寸，80GB容量，采用MLC技术，支持SATA 3.0Gb/s规格和NCQ原生指令排序功能，120万小时的平均故障间隔时间，能经受1000G的冲击，符合ROHS绿色环保标准，每千块平均售价为595美元。