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三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产
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快科技4月22日消息，据媒体报道，最近有消息人士透露，三星基于1dnm制程（第七代 10nm 级别工艺）的 DRAM 芯片在试产阶段良品率低于预期。
三星已计划无限期推迟大规模量产，直至良品率达到既定目标。为此，三星可能会全面审查工艺流程，以进一步提升良品率。
按照原计划，三星拟将1dnm工艺制造的DRAM芯片用于HBM5E，即第九代HBM解决方案。
值得注意的是，除了HBM4之外，目前采用1cnm工艺的DRAM芯片还将被用于HBM4E和HBM5，覆盖连续三代HBM产品。另有传闻称，三星可能升级下一代 HBM 的基础裸片，改用更先进的2nm工艺。
目前，三星已在1dnm工艺DRAM芯片上投入更多资源，并在韩国建设一座新工厂。
据悉，该工厂占地面积约为四个标准足球场大小，除生产DRAM芯片外，还将承担封装、测试、物流及品控等环节，这些工序对于维持稳定生产至关重要。
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