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三星展示超高容量密集封装技术:单颗芯片做到4TB!
2026-03-27 10:25:38  出处:快科技 作者:黑白 编辑:黑白     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技3月27日消息,三星今天公开了其超高密度固态硬盘的最新路线图,通过超密集封装技术,计划在2027年推出256TB的第六代E3.S规格固态硬盘。

核心技术突破在于封装层面的跨越,根据现场图片,三星目前的16颗裸片(Die)封装技术已趋于成熟。

三星展示超高容量密集封装技术:单颗芯片做到4TB!

而新一代32颗裸片封装技术,通过堆叠32颗1Tb QLC裸片,实现单颗4TB容量的封装体,直接推动了整盘容量的翻倍增长。

路线图显示,三星超高密度固态硬盘的EDSFF规格具备更薄、更宽、更快、更密集的特点。

三星展示超高容量密集封装技术:单颗芯片做到4TB!

第五代E3.S产品采用2Tb 32DP 16规格,实现128TB容量;而定于2027年问世的第六代E3.S产品,将升级至2Tb 32DP 32,将单盘容量推向256TB。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:黑白

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