7、AMD制造工艺介绍与前瞻

Patrick Moorehead第三次登场，这次给我们带来了AMD 45nm乃至32nm工艺最新消息。

AMD在半导体制造工艺上的一些第一：率先量产铜金属互联以取代铝互联、率先在现有晶圆厂设备中引入沉浸式光刻技术、率先在同一个晶体管内全面应用应变硅技术、率先量产Low-K互联金属、率先展示全场超紫外线(EUV)光刻技术试验性芯片。

AMD的45nm技术与IBM合作研发，相比于应变硅和Ultra-Low-K介质技术可带来20％的性能提升，并在未来考虑加入High-K介质、金属栅极技术。

45nm沉浸式光刻技术：通过加入水层，比传统技术提升40％。

Ultra-Low-K互联电介质：K常数从3降到2.4。

45nm对65nm：同频功耗降低28％、同功耗性能提升30％。

45nm已经成熟并可以进入量产阶段，具体实施时间是今年下半年。

Fab 36工厂已于上半年开始部署45nm，下半年即可投产；改造中的Fab 38沿用了Fab 30的无尘室，将在今年为Fab 36提供合格的300mm晶圆，明年转向独立生产，届时AMD就会有两座大型晶圆厂做支撑。

最后是32nm。AMD继续和IBM合作，已经试产了采用先加工栅极、High-K、金属栅极技术的32nm SRAM，综合Ultra-Low-K和真空隔离技术，可将互联电容量减少30％，同时芯片速度提升10％、能耗降低10％。

AMD全球副总裁王宝础致闭幕辞