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Hynix开发超高速DDR2手机存储芯片
韩国半导体厂商Hynix海力士周日宣布,他们已经成功开发出了全球最高速的手机存储芯片产品。
这款LPDDR2(低功耗DDR2)内存容量为1Gbit,采用66nm工艺制造,运行电压1.2V。据称,该存储芯片的速度高达800Mbit/s,是目前市场上的最高速产品。
Hynix官方表示,他们将与今年第四季度开始量产这款LPDDR2存储芯片,针对手机和其他移动设备市场。
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