正文内容 评论(0

Hynix开发超高速DDR2手机存储芯片
2008-04-07 17:44:29  出处:快科技 作者:Skyangeles 编辑:Skyangeles     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

韩国半导体厂商Hynix海力士周日宣布,他们已经成功开发出了全球最高速的手机存储芯片产品。

这款LPDDR2(低功耗DDR2)内存容量为1Gbit,采用66nm工艺制造,运行电压1.2V。据称,该存储芯片的速度高达800Mbit/s,是目前市场上的最高速产品。

Hynix官方表示,他们将与今年第四季度开始量产这款LPDDR2存储芯片,针对手机和其他移动设备市场。

Hynix开发超高速DDR2手机存储芯片

 

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:

  • 支持打赏
  • 支持0

  • 反对

  • 打赏

文章价值打分

当前文章打分0 分,共有0人打分
  • 分享好友:
  • |
本文收录在
#快讯

  • 热门文章
  • 换一波

  • 好物推荐
  • 换一波

  • 关注我们

  • 微博

    微博:快科技官方

    快科技官方微博
  • 今日头条

    今日头条:快科技

    带来硬件软件、手机数码最快资讯!
  • 抖音

    抖音:kkjcn

    科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...