IBM旗下的微电子部门正在考虑在芯片生产技术上，放弃“SiLK low-k spin-on”绝缘体材料，转向使用化学蒸镀沉淀技术。尽管前种技术可以更有效隔绝芯片内部不同铜互连层，降低芯片运行的发热量。nVIDIA之前已经和IBM签署协议，使用IBM 0.13微米制程Low-K工艺来制造下一代GPU产品，不过IBM今天表示Low-K技术很可能要到2004年底0.065微米制程上才会采用。之前，nVIDIA希望台湾台积电TSMC采用0.13微米制程Low-K技术生产NV30图形芯片，以降低图形芯片的发热量，但是未果。