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三星今日在一季度财报中确认,将于今年第二季度,也就是在7月开始之前投入5nm EUV的大规模量产工作。 三星表示,借此,其将加强在EUV(极紫外光刻)技术领域的领导地位。 同时,三星此次还预告
近日,台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²! 作为参考,采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²,晶体管密度103亿,平均下来
尽管2020年全球半导体行业会因为疫情导致下滑,但台积电的业绩不降反升,掌握着7nm、5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上,台积电也首次正式宣布3nm工艺详情,预定在2022年下半年量产
由华人科学家胡正明教授发明的FinFET(鳍式场效应晶体管)预计在5nm节点之后走向终结,三星的方案是GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)。 三星日前简要介绍了GAAFET中核心技术MCBFET(多桥沟道场效
台积电3nm工艺总投资高达1.5万亿新台币,约合500亿美元,光是建厂就至少200亿美元了,原本计划6月份试产,现在要延期到10月份了。 在半导体公司进入10nm节点之后,全球有能力有机会跟进的只剩下
由于受到全球疫情影响,台积电宣布原本4月29日在美国举行的技术论坛延期,这次论坛本来是要公布台积电3nm技术的。 台积电去年宣布投资200亿美元推进3nm工艺,目前已经在前期的建厂准备中,预计
三星宣布,位于韩国京畿道华城市的V1工厂已经开始量产7nm 7LPP、6nm 6LPP工艺,这也是全球第一座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂。 据介绍,三星7LPP、6LPP工艺主要生产先进的移动SoC芯片
作为全球唯一能生产EUV光刻机的公司,荷兰ASML公司去年出售了26台EUV光刻机,主要用于台积电、三星的7nm及今年开始量产的5nm工艺,预计今年出货35台EUV光刻机。 目前ASML出货的光刻机主要是NXE
北京时间1月2日晚间消息,据韩国媒体报道,三星电子事实上的领导人李在镕(Lee Jae-yong)今日讨论了三星利用全球首个3纳米工艺制造芯片的战略计划。 该报道称,李在镕今日参观了三星电子位于京
UPDATE—— 原文流传年的幻灯片并非出自Intel官方,而是荷兰光刻机巨头ASML在Intel原有幻灯片基础上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm规划均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路线
虽然半导体工艺提升越来越困难,但是被誉为天字一号代工厂的台积电,这几年却仿佛打了鸡血,进展神速,让Intel、三星都望尘莫及。 现在,台积电7mm工艺已经大范围普及,几乎成为旗舰乃至主流芯
7nm的巨大成功让台积电尝到甜头,晶圆代工第一巨人深深明白,先进制程只有进一步加速才行。 上周四,台积电董事长、联系CEO刘德音表示,台积电将为新的研发中心增加8000多名岗位,用于3nm以及未
在三星上周纸面预览了其3nm工艺后,台积电也毫不示弱,业内人士称,台积电年底前会敲定南部科技园的30公顷土地(30万平米),随后启动3nm晶圆厂的建设。 目前,台积电的12寸超大晶圆厂有六座,
尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完
台积电董事会已经批准了大约65亿美元(折合人民币460亿元)的资本拨款投资,将用于新工艺研发与升级、新工厂建设与产能扩充等等。 台积电上个月曾披露,今年的资本支出总额将超过110亿美元,高于
尽管日韩贸易冲突持续延烧,三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛将如期举行。三星届时预料将展示自家先进制程技术,并提供用于生产3纳米以下芯片,名为「环绕闸极」(GAA)技术的制程套件。
在日本的2019 VLSI Symposium超大规模集成电路研讨会上,台积电宣布了两种新工艺,分别是7nm、5nm的增强版,但都比较低调,没有过多宣传。 7nm工艺的增强版代号为“N7P”(P即代表性能
本月4日起,日本宣布管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这三种重要原材料,此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机,三星等公司更是急于获得稳定的原料来源,否则旗下的存储芯片
如今在半导体工艺上,台积电一直十分激进,7nm EUV工艺已经量产,5nm马上就来,3nm也不远了。 台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露,台积电的N3 3nm工艺技术研发非
集成电路设计自动化软件领导企业新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先进工艺的良率学习平台设计取得最大突破,也为三星后续5nm、4nm、3nm工艺的量产和良品率奠定了坚
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