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  • 非易失性存储
在新一代存储芯片上,国内不少公司也跟进了MRAM、PRAM及PCM相变存储芯片,日前江苏时代全芯公司发布了相变存储可编程只读存储器,2Mb大小,号称是继三星、美光之后少数掌握相变存储芯片核心技术
说到存储芯片,目前主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存,内存速度极快但成本贵,而且断电不能保存数据,NAND、NOR闪存可以保存数据,成本也廉价,不过性能、延迟是没法跟内存相比的。
计算机界一直在探索NVRAM(非易失随机存取器),即在保留DRAM速度快、延时低(纳秒级)优势的情况下,做到永固数据。 目前基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产物之一,业内还有铁电RAM(FRAM)、磁阻
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