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45nm Cell功耗降40% 65nm四核安腾20亿晶体管
2008-01-29 10:33:53  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

2月3-7日,一年一度的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)又将在洛杉矶举行,各大半导体厂商也会再次汇报自己的最新进展。根据近日公布的预览简报,本次大会最引人关注的话题包括:45nm Cell BE处理器、Intel 65nm Tukwila Itanium四核心处理器、Intel 45nm Silverthoren低功耗处理器、Sun Niagara 3十六核心处理器。

此番介绍新Cell BE处理器的不是IBM,而是索尼。索尼目前正准备将PS3主机的核心处理器从65nm带入45nm时代,并声称45nm新工艺可将Cell BE的核心面积减小34%,同时功耗降低40%。索尼还在改进Cell BE的可制造性设计,以便简化生产过程。

当然,Intel依然是ISSCC的最大主角,占据了预览简报的16页之多(共115页)。虽然Intel会进一步透露其万亿次计算项目TeraScale的进展,不过这不是重点,甚至可能不会有专门的讨论会。

文档显示,Tukwila核心的Itanium服务器处理器将采用65nm工艺生产,集成四个处理核心,晶体管数量多达20亿个,包括30MB二级缓存,因此核心面积达到了近乎疯狂的699平方毫米,集成电路也是目前Montvale核心的三倍。另外,Tukwila将引入新的互联总线QuickPath Interconnect,处理器之间的带宽可达96Gb/s,同时峰值内存带宽34GB/s。

Intel现有的Itanium 2处理器为90nm工艺生产,双核心,二级缓存最大24MB,晶体管17亿个

相比之下,Silverthorne走的则是微型化路线,并得益于45nm工艺,在25平方毫米的面积里集成了4700万个晶体管,并采用441针μFCBGA封装。这款x86处理器预计今年晚些时候发布,采用2-issue、顺序管线设计,拥有32KB一级指令缓存、24KB一级数据缓存、512KB二级缓存、浮点和整数运算单元,支持533MHz前端总线。

此外Intel还会展示其相变存储技术的最新成果,包括一颗90nm工艺、256MB容量的多层单元(MLC)芯片可反复擦除、写入10万次。Intel认为这种新技术有望取代目前大兴其道的闪存技术。

最后,Sun准备的是第三代Niagara处理器:Niagara 3采用65nm工艺制造,核心面积396平方毫米,拥有16个核心,可同时执行32个线程,主频2.3GHz。

45nm Cell功耗降40% 65nm四核心安腾20亿晶体管

 

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