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SK海力士首发321层闪存 三星被偷家原因揭秘:步子迈太大
2023-08-10 18:21:42  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

快科技8月9日消息,日前SK海力士宣布全球首发321层堆栈的4D闪存,这也是闪存首次提升到300层以上,核心容量1Tb,TLC类型。

在堆栈层数上,SK海力士的4D闪存因为架构不同,相比其他家来说堆栈层数占优一些,比如之前美光及国产长江存储推出的都是232层闪存,SK海力士上一个记录是238层,多了那么几层。

这次首发321层闪存也是如此,拿到了全球首发,但产品要到2025年才能量产,因此未来两年的变数还很大。

SK海力士首发321层闪存 三星被偷家原因揭秘:步子迈太大

真正值得注意的是,在堆栈层数的竞争上,闪存一哥三星一直很低调,2022年11月份宣布量产第八代V-NAND闪存,TLC类型,核心容量也是1Tb,但堆栈层数没公布,业界分析是230+以上,具体未知。

三星预计在2024年量产第九代V-NAND闪存,层数提升到280,再往后预计2025-2026年推出第十代V-NAND闪存,堆栈层数430+。

这就是为什么三星在300+层闪存技术上被SK海力士偷家的原因,三星计划跳过300层,不打算搞这个级别的闪存,直接进入到400+层时代,到时候这个层数要比友商的300+层领先很多。

三星这次步子迈得很大,计划是美好的,但是跳过这一级别的闪存,技术上挑战也不小,最终能否如愿还要时间来检验。

SK海力士首发321层闪存 三星被偷家原因揭秘:步子迈太大

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