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全球内存模块领导厂商--创见资讯，领先业界推出支持英特尔高性能计算机平台的DDR3-1066运作频率Non-ECC Unbuffered内存模块。新一代DDR3内存模块不但拥有比DDR2内存模块更快速、更宽带的优点，搭配使用双通道及双核心或四核心的计算机系统更能发挥其运作效能。另外，DDR3内存的供电电压由原来DDR2的1.8伏特降至1.5伏特，除了能有效减低耗电量达30%，使用于英特尔bearlake系列平台将更能发挥效能。创见资讯目前提供512MB及1GB容量DDR3-1066 MHz 内存模块供消费者选购。
创见资讯1GB DDR3-1066内存模块采用16颗原厂64Mx8内存颗粒，每一颗粒都经严格筛选，并将采用先进的70奈米制程及FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，以提供更佳的散热性能及更好的电气特性，确保高速运算下的工作质量。再者，采用符合JEDEC协会规范的电路设计搭配6层PCB电路板，能适用于严苛的工作环境，减少噪声扰乱，大幅提升系统的整体效能。此外，搭配DDR3内存模块的ODT（On-DIMM Termination）技术则可降低高速运作下内存信号的回授，提高内存频率的极限值。
创见资讯累积十数年的硬件设计与高阶内存生产经验，采用专业、高质量内存颗粒，透过严格的加工制造程序，在布线路径、走线长度及电气特性设计均遵循极为严格的条件规范，100%的出厂严格测试，以确保提供消费者最佳效能及最高稳定性的内存模块。所有创见出品的内存模块皆有终身质保证明，而遍及全球的服务据点还提供优质售后服务，创见资讯绝对是您购买内存的最好选择。
产品特征s
• 高速、宽带、低耗电量
• 加强讯号完整性
• 提供1.5V电压，与DDR2相较可省电达30%
• 8位Prefetch运作
• 采用结合模块信号终端电阻的Fly-by点对点传输技术
• 使用内部终端电阻(ODT)与结合ZQ校准的OCD讯号校准技术以提供更佳的讯号质量
• 运用ASR(Automatic self-refresh) 减少更新频率来降低温度
• 高稳定性及可靠度
• 符合JEDEC标准设计
• 六层电路板
• 终身质保
订购信息
产品编号 容量 介绍 注意
TS64MLK64V1J 512MB 240-Pin DDR3 1066 Non-ECC Unbuffered DIMM
TS128MLK64V1J 1GB 240-Pin DDR3 1066 Non-ECC Unbuffered DIMM
创见技术支持电话:800-819-9388
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