虽然AMD早就与IBM合作，普遍应用了SOI(绝缘硅)技术，但Intel并不打算跟进，至少在32nm之前不会。

对于下一步的45nm工艺，Intel将采用“high-k”和“金属栅极”工艺，主要是用用更高介电常数的金属栅极取代传统的低介电常数(low-k)的二氧化硅栅极，从而提高晶体管速度、降低转换能耗、减少漏电。

Intel高级副总裁、工艺架构负责人Mark Bohr指出，尽管AMD数年前就开始使用SOI工艺，并与IBM就此达成了战略合作伙伴关系，但Intel对这种技术没兴趣，至少在到达32nm之前没有，因为Intel认为SOI工艺成本过高，而且带来的性能提升非常有限，不过32nm时代的“三栅极晶体管”技术有可能从SOI中获益，因此Intel会在未来考虑接纳SOI。

Mark Bohr同时透露说，Intel计划在2011-2012年将硅晶圆尺寸从现有的300mm加大到450mm，从而可以在一块晶圆上切割出更多的处理器芯片，降低生产成本。