从DDR到DDR2，频率提高了，CL延迟也增加了；从DDR2到DDR3，同样的问题依旧存在，而且更为严重。

CL即CAS Latency，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单说就是内存接到CPU指令后的反应速度。作为衡量内存品质的重要指标，CL延迟越小越好。

DDR3-800的工作时序(timing)为5-5-5，CL延迟5，部分DDR3-800模组甚至将工作在时序6-6-6、CL延迟6；相比之下，DDR2也能做得更好，质量好的可以工作在时序3-4-4、CL延迟3。对DDR3-1066来说，时序是7-7-7，CL延迟也是7；同频率的DDR2-1066时序是5-5-5，CL延迟也不过5。

DDR3的优势在于高频率，但代价是高延迟。到了DDR3-1333，我们将得到时序8-8-8、CL延迟8，最快的DDR3-1600更是时序9-9-9、CL延迟9。好消息是，这些模组都只需要1.5V电压，DDR2加压到2.3V也很难超过1300MHz。

当然，OCZ、Corsair等高端内存厂商肯定会推出低延迟的DDR3产品，但这些精品的价格也会高高在上，，并非普通消费者所能享受。