英飞凌公司的研究人员宣布已经测试成功首款65nm多栅极鳍式场效晶体管（Multi-gate finFET）架构。有此一名的原因就是其场效应管的源极（Source）和漏极（Drain）部分看起来好像鱼鳍一样，栅极（gate）则和以往的电路都在一个平面上不同，从三维空间的上方连入。在研究人员测试的电路中，包含3000多个有效的晶体管，它们都是以这种三维方式制造而成。

和现有的单栅极技术相比，该技术下开发的芯片可以在70%的面积上达到同样的性能，同时还能减少10%的漏电流。这将显著增强芯片的能效比，和现在的65nm技术相比，最高可以延长移动设备续航时间达到一倍。

英飞凌公司董事会成员，通讯解决方案集团负责人Hermann Eul博士称：“通过世界首款65nm多栅极技术的诞生，我们证明了不仅仅是简单的更换制程，从80nm到65nm，一样可以改变整个半导体行业。现在，我们将努力把这些先进的技术和原料更具创造性的应用起来。在现有技术的基础上，我们希望多栅极技术将让CMOS管的尺寸向32nm乃至更小的范围进军。”

英飞凌并非唯一在此方向上努力的公司，Intel在今年中期就曾宣布，在其未来的32nm及22nm产品中，将采用3栅极晶体管。