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英飞凌公司的研究人员宣布已经测试成功首款65nm多栅极鳍式场效晶体管(Multi-gate finFET)架构。有此一名的原因就是其场效应管的源极(Source)和漏极(Drain)部分看起来好像鱼鳍一样,栅极(gate)则和以往的电路都在一个平面上不同,从三维空间的上方连入。在研究人员测试的电路中,包含3000多个有效的晶体管,它们都是以这种三维方式制造而成。
和现有的单栅极技术相比,该技术下开发的芯片可以在70%的面积上达到同样的性能,同时还能减少10%的漏电流。这将显著增强芯片的能效比,和现在的65nm技术相比,最高可以延长移动设备续航时间达到一倍。
英飞凌公司董事会成员,通讯解决方案集团负责人Hermann Eul博士称:“通过世界首款65nm多栅极技术的诞生,我们证明了不仅仅是简单的更换制程,从80nm到65nm,一样可以改变整个半导体行业。现在,我们将努力把这些先进的技术和原料更具创造性的应用起来。在现有技术的基础上,我们希望多栅极技术将让CMOS管的尺寸向32nm乃至更小的范围进军。”
英飞凌并非唯一在此方向上努力的公司,Intel在今年中期就曾宣布,在其未来的32nm及22nm产品中,将采用3栅极晶体管。
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