二、洛克65W氮化镓充电器拆解

将输入端外壳拆开取出PCB板，板子背面贴有两块黑色导热垫。

红黑导线一端和金属弹片焊接并打胶固定，另一端和小PCB板焊接，旁边有一块透明塑料片隔离绝缘。

去掉次级侧导热垫，PCB板背面一览。

英诺赛科 INN650D02 “InnoGaN”开关管，耐压650V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，应用端不需要辅助散热措施，适合高功率密度的开关电源应用。

英诺赛科透露，INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，也是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，标志着这项技术在快充领域的大规模商用。

英诺赛科 INN650D02 详细资料。

主控芯片为ON安森美NCP1342，这是一颗高频初级PWM控制器，内置主动X2电容放电和多重完善的保护功能。

安森美NCP1342详细资料。

采用安森美NCP1342控制器的电源产品还有SlimQ 65W氮化镓USB PD快充充电器、爱否开物1A2C 65W PD氮化镓充电器；同时，安森美的其他系列控制器还被苹果87W充电器、苹果61W充电器、苹果29W充电器、iPhone 11 原装5W充电器、小米65W USB-C电源适配器、三星15W原装快充充电器等数十款产品广泛采用。

安森美 FAN3111 栅极驱动器，用于驱动“InnoGaN”开关管。

安森美 FAN3111 详细资料。

来自深圳市沃尔德实业有限公司的整流器桥WRABS40M，一共两颗，均摊发热。据了解，这款软桥通过较软的恢复曲线，比较平滑的关断特性，可以降低二极管结电容达到非常少的谐波振荡产生的效果。

OR-1008光耦，横跨在初级和次级之间，用于初级次级通信，反馈输出电压。

次级同步整流控制器，安森美NCP4306，支持最高1MHz开关频率。

安森美 NCP4306 详细资料。

恒泰科HGN070N12SL 次级同步整流MOS，NMOS，耐压120V，DFN5X6封装，底部大面积过孔散热。

恒泰科HGN070N12SL资料信息。

恒泰柯MOS管此前已被belkin、RAVPower、京造、努比亚等品牌的数十款电源产品采用。

充电器采用二次降压结构，其中USB-C1接口为一路输出，USB-C2和USB-A两个接口为共用一个降压电路。两路输出均采用了智融SW3516主控芯片，这里这颗作为USB-C2和USB-A两个接口的降压控制和协议识别。

智融SW3516是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持A+C口任意口快充输出，支持双口独立限流。其集成了 5A 高效率同步降压变换器，支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP、低压直充等多种快充协议，CC/CV 模式，以及双口管理逻辑。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

SW3516还被爱否开物1A2C 65W PD氮化镓充电器、毕亚兹65W 2C1A氮化镓充电器、京造63W USB PD三口快充充电器、倍思18W USB PD双口旅行适配器、iClever USB PD充电器等多款产品采用，此外智融的快充芯片还可用于USB PD快充移动电源、快充充等领域。

外挂两颗MOS来自锐骏半导体，型号为RUH4040M2，NMOS，耐压40V，用于为1A1C两个接口输出同步整流降压。

Ruichips锐骏RUH4040M2详细资料。

采用锐骏MOS的产品还有毕亚兹65W 2C1A氮化镓充电器、京造63W USB PD三口快充充电器、倍思45W USB PD快充充电器（ 1A1C）、倍思60W 2A1C USB PD快充充电器、爱否开物1A2C 65W PD氮化镓充电器等。

另外一颗特写。

VBUS开关管，型号RU30D20M2，双NMOS，耐压30V，来自Ruichips锐骏半导体，用于USB-C2和USB-A快充端口分配。

锐骏RU30D20M2详细资料。