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走入Intel Fab68大连工厂:144层闪存、全新傲腾在等你
2019-11-28 23:37:16  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

接下来是技术分享环节,分为闪存、傲腾两个部分。

走入Intel Fab68大连工厂:144层闪存、全新傲腾在等你

在计算体系中,存储有多种不同类型,处理器缓存、封装内存、DRAM内存、NAND闪存、HDD机械硬盘、磁带等等,形成了一个完成的体系,但因为各自特点迥异,比如内存和闪存之间,比如闪存和固态存储之间,无论性能还是容量,仍然存在很大的空白。

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DRAM内存、3D NAND闪存、3D XPoint傲腾三种存储中,Intel重点努力的是后两种,尤其是扩展性极佳的傲腾。当然如果你熟悉历史,应该记得Intel公司成立之初的业务其实正是DRAM,确切地说是SDRAM。

DRAM是平面型的,无论容量还是性能提升都越来越困难,比如密度早些年每三年增加四倍,而今每四年才能增加两倍,而闪存SLC、MLC、TLC、QLC一路走下来,单位容量带宽是越来越低的,与计算核心的距离其实在拉大。

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当然,NAND闪存在可见的未来内仍是应用最广泛的存储类型,Intel更是采用了先进的浮动栅极设计,不同于传统电荷撷取设计,使用的是独立充电存储节点,编程擦写循环、单元间电荷隔离、数据持久性都更佳,同时还有阵列下CMOS结构(CuA),可节省空间占用,有利于存储密度的扩充。

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Intel 2016年量产了第一代32层TLC闪存,单位容量密度384Gb,2017年的第二代64层QLC猛增至1024Gb,而在今年刚投产的是第三代96层QLC,明年将迎来第四代144层QLC(跳过128层)。

注意后面三种存储密度其实没变,更多的是靠增加堆叠层数而提升容量,这也是NAND闪存面临的一个困局。

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除了闪存本身容量提升,Intel也一直致力于固态硬盘容量的提升,比如设计了全新的E1.L、E1.S形态,前者相比U.2容量增加最多1.66倍,散热效率提升2倍,而后者相比M.2容量可翻一番,散热效率更是提升3倍,而且都为PCIe 4.0、PCIe 5.0做好了准备。

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说到闪存存储格式,SLC、MLC、TLC、QLC大家都很熟悉了,分别是每个单元1、2、3、4个比特位,分别有2、4、8、16种电荷状态,寿命确实在持续衰退,但是得益于先进的浮动栅极结构,Intel QLC闪存的数据持久性更好。

接下来就是每单元5个比特位、32种点和状态的PLC,Intel的浮动栅极结构依然可以满足,当然需要在闪存结构、主控和固件优化支持方面做出更多的努力,以弥补寿命的不足。

至于再往后,Intel多年前就在研究每单元8个比特位的NAND闪存,因此仍然是可以继续走下去的。

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