专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。

MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，但同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的优点。

STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，但容量密度提升困难。

早在2012年的时候，Everspin就发布了第一代STT-MRAM，40nm工艺制造，封装在一颗DDR3标准模块中，兼容JEDEC DDR3-800，但容量只有256Mb(32MB)，使其主要只能用于嵌入式领域。

最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工艺，封装于DDR4，支持8-bit或者16-bit界面，传输率1333MT/s(667MHz)，容量增大到了1Gb(128MB)，翻了两番。

这或许能让MRAM走进更广泛的应用领域，但要想追上DRAM内存的存储密度还有很长的路要走，更别说媲美NAND闪存了。

因此，在很长一段时间内，都不太可能看到基于STT-MRAM的内存或存储产品，但或许能实现混合式SSD，比如讲部分或全部DRAM缓存更换成MRAM，性能更强，还不怕掉电变砖。

事实上，IBM、希捷都在这么做了，近两年还都展示了一些原型。

Everspin还有一个独特优势，那就是唯一一个能提供独立MRAM芯片的厂商，而在未来路线图上，他们计划下一步应用GlobalFoundries 22nm FD-SOI工艺，进一步提升STT-MRAM的性能和容量。