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SK海力士海外最大闪存封装厂3季度投产 NAND产能提升150%
2019-05-14 13:45:46  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

截至本季度,NAND闪存价格已经连续跌了6个季度,上游的NAND闪存厂商面临着营收及盈利下滑的考验,美光、三星等公司都已经决定削减NAND产能以减缓降价趋势。

不过厂商削减产能不是一句话的事,前两年这些产能扩增了不少生产及封装工厂,经过一两年的建设正好在今年完工投产,这也会扩大NAND闪存的产能,与削减产能的目标相反。

来自重庆西永微电园的消息称,SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成,预计6月中旬进行设备安装,三季度陆续投产。

投产后,项目合计产能是现在的2.5倍,芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上, 成为SK海力士全球海外最大封装基地。

西永微电园的SK海力士封装厂投产之后,势必会增加NAND闪存产能,而前不久SK海力士也宣布出货96层堆栈的新一代4D NAND闪存,QLC类型,单颗核心容量1Tbit,容量要比目前的MLCTLC闪存至少高出一倍,可以轻松实现16TB SSD硬盘。

SK Hynix海外最大闪存封装厂3季度投产 NAND产能提升150%

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