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千倍于闪存!三星量产eMRAM嵌入式磁阻内存:28nm工艺
2019-03-06 22:36:42  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

就在不久前,Intel宣布已经准备好大规模量产MRAM(磁阻式随机访问内存),这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据,写入速度则数千倍于闪存,可以兼做内存和硬盘,甚至统一两者。

同时很关键的是,它对制造工艺要求低,良品率也高得多,可以更好地控制成本,成品价格自然不会太离谱。

现在,三星电子又宣布,已经全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),而且用的是看上去有点“老旧”的28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺,可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。

千倍于闪存!三星量产eMRAM嵌入式磁阻内存:28nm工艺

三星指出,基于放电存储操作的eFlash(嵌入式闪存)已经越来越难以进步,SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下来,密度越来越高,但是寿命越来越短,主控和算法不得不进行越来越复杂的补偿。

eMRAM则是极佳的替代者,因为它是基于磁阻的存储,扩展性非常好,在非易失性、随机访问、寿命耐久性等方面也远胜传统RAM。

使用28nm工艺量产成功,则进一步证明三星已经克服了eMRAM量产的技术难题,工艺上更不是问题。

三星表示,28nm FD-SOI工艺的eMRAM可以带来前所未有的能耗、速度优势。由于不需要在写入数据前进行擦除循环,eMRAM的写入速度可以达到eFlash的大约一千倍,而且电压、功耗低得多,待机状态下完全不会耗电,因此能效极高。

另外,eMRAM可以轻易嵌入工艺后端,只需增加少数几个层即可,因此对于前端工艺要求非常低,可以轻易地使用现有工艺生产线进行制造,包括Bulk、Fin、FD-SOI晶体管。

三星还计划今年内流片1Gb(128MB)容量的eMRAM芯片。

千倍于闪存!三星量产eMRAM嵌入式磁阻内存:28nm工艺

 

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