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三星宣布量产1TB UFS 2.1闪存芯片:存取速度提到1GB/s
2019-01-30 14:00:00  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

天字一号闪存企业三星电子今天(1月30日)宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品,主力用于智能手机。

2017年11月,三星宣布量产单芯片容量512GB的 eUFS闪存,去年,三星Galaxy Note 9就用上它。不过,由于S10系列2月20日就要发布了,从时间上判断,应该来不及用上刚出炉的1TB UFS,可能会选择和坚果R1类似的方式、即使用两片512GB。

三星计算后表示,1TB可存储260段10分钟长度的4K分辨率短视频,而64GB只能存储13段。

规格方面,芯片封装大小为11.5mm x 13mm,内部有16颗512Gb V-NAND(第五代)堆栈组成。

三星宣布量产1TB UFS 2.1闪存芯片:存取速度提到1GB/s

性能方面,支持UFS 2.1规范,连续读取速度最高1000MB/s、连续写入最高260MB/s、随机读取速度为58K IOPS、随机写入为50K IOPS。三星称,随机速度的提升有助于手机相机表现,比如拍摄960帧慢动作视频。

三星表示,将在位于Pyeongtaek(平泽市)的工厂加大512GB eUFS闪存芯片的产能,以满足2019年上半年市场的强烈需求。看来,三星Galaxy以及不少旗舰将开始大力推广512GB甚至1TB的机身存储容量了。

三星宣布量产1TB UFS 2.1闪存芯片:存取速度提到1GB/s

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