• 快科技
  • (原驱动之家)全球最新科技资讯专业发布平台
投资380亿元!Intel大连工厂二期投产96层3D闪存
2018-09-25 21:58:54  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

据媒体报道,9月21日,Intel大连非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。

2006年7月,Intel与大连市政府达成总发展协议,随后建设了占地面积60公顷的300毫米晶圆厂Fab 68,2010年建成,主要用于处理器的封装测试。

2015年10月,Fab 68二期项目落地,投资55亿美元(约合人民币380亿元),主要用来生产NAND闪存芯片,如今不到三年就顺利实现建成投产,创造了Intel工厂建设历史的新纪录。

在启动仪式上,Intel宣布新工厂将采用世界最先进的96层堆叠3D NAND闪存芯片制造技术实现量产。

据悉,Fab 68工厂未来将成为Intel NAND闪存的最核心生产基地,会贡献大约70%的产能。

目前的全球NAND闪存市场上,三星以37%的份额遥遥领先,然后是东芝、西数、美光、SK海力士,Intel则还不到10%,其固态存储产品也主要集中在企业级、数据中心市场上,消费级领域基本已不见踪影。

不知道有了大连工厂的支撑,Intel SSD能否在消费市场上再次开辟一天新天地呢?

投资380亿元!Intel大连工厂二期投产96层3D闪存

微信公众号搜索" 驱动之家 "加关注,每日最新的手机、电脑、汽车、智能硬件信息可以让你一手全掌握。推荐关注!【微信扫描下图可直接关注

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
文章观点支持

+0
+0