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东芝96层QLC闪存明年量产:1500次P/E、M.2可到20TB
2018-08-08 17:55:18  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

在此次闪存峰会上,东芝Keynote的重点是BiCS4 Flash,也就是QLC闪存。

BiCS4即第四代BiCS 3D闪存,从BiCS3的64层堆叠提升到96层。

时间节点和技术指标方面,BiCS4 QLC闪存将从明年开始量产,单芯片的容量可达1.33Tb,基于U.2形态的模组可以做到85TB,基于M.2 22110可以做到20TB,相当恐怖。

东芝96层QLC闪存明年量产:1500次P/E、M.2可到20TB

大家关心的耐用性方面,东芝也将BiCS4 QLC产品的P/E(可编程/擦写循环)从理论的1000次提升到1500次,为传统TLC的一半,相信只要价格给力,肯定会讨好消费者。

当然,在“硬货”方面,东芝祭出了XL-Flash,通过对存储单元结构进行调整,即更短的bitline(位线,垂直方向)和wordline(字线,水平方向),使得读取延迟降低到当下TLC的1/10。XL-Flash早期均采用SLC,后期将扩展到MLC。从这个角度看的话,XL-Flash和三星的Z系列SSD比较像,都是和Intel傲腾竞争的高端品。

东芝96层QLC闪存明年量产:1500次P/E、M.2可到20TB

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