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长江存储将展示新型3D NAND闪存 I/O速度堪比DDR4
2018-07-28 10:30:39  出处:超能网  作者:孟宪瑞 编辑:朝晖   点击可以复制本篇文章的标题和链接
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国内厂商使用的NAND闪存及DRAM内存全部来自进口,去年光是存储芯片进口就高达896亿美元,目前国内已经布局了三大存储芯片基带,紫光旗下的长江存储目前专注于3D NAND闪存研发、生产。

在今年8月份的FMS国际闪存会议上,长江存储也将首次参加,CEO杨士宁将展示新型3D NAND闪存结构Xtacking,号称I/O接口速度达到了DDR4内存的水平,同时具有业界领先的存储密度。

根据长江存储发布的公告,他们研发的Xtacking结构3D NAND闪存,将具有前所未有的I/O速度,从而能够将UFS、SSD硬盘及企业级SSD等产品的性能提升到前所未有的程度。

除了高速度,Xtacking堆栈还实现了NAND与外围电路的并行处理,这种闪存开发和制造工艺的模块化将缩短新一代3D NAND闪存的上市时间,并为NAND闪存产品定制化提供了可能。

目前Xstacking闪存的具体信息还没有公布,一切还要等杨士宁在8月7日的FMS会议上发表主题演讲才能确定。

不过长江存储所说的I/O接口是指NAND闪存的接口,目前NAND闪存使用的主流接口有Toggle、ONFi,最新的Toggle 3.0接口速度可达800 MT/s,ONFi 4.0也能达到800MT/s,不过这两个接口标准在三星、美光、英特尔的3D NAND闪存上已经少有提及。

长江存储所说的Xtacking能达到DDR4内存的速度指的就是I/O接口,不过DDR4公认的初始频率就有2133MT/s,这个速度确实比ONFi、Toggle接口快得多,只不过现在这些都还是猜测,具体还要等长江存储公开。

Xtacking闪存应该是长江存储预研的新技术,目前还在申请专利,对新入NAND市场的公司来说积累技术是个艰苦但又不得不做的阶段,而长江存储目前及未来量产的3D NAND闪存似乎并没有这么先进,此前公开展示的还是32层堆栈的64Gb核心闪存,之前接到过1万片晶圆的NAND订单,但主要是用来制造8GB存储卡的,并不高端。

不过也有消息称2019年长江存储真正量产的时候,生产的3D NAND闪存将是64层堆栈的,这样一来技术水平跟三星、美光、东芝等公司将缩短到2-3年时间。

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