对于固态硬盘来说，“技术更新”很大程度上可以说是贬义词，颗粒的技术迭代都会直接导致写入寿命下滑，性能下降。

3D TLC是目前较新一代的技术，虽然厂商都在把3D TLC当神主牌吹上天，不过一看他们400PE的保修，也就真心不想说什么了。

为了还原3D TLC的性能，接下来会有一系列的评测丢出来，今天先从性能相对较好的开始，所以测试的就是三星的860 EVO 250G。

产品包装与附件：

860 EVO采用彩印纸盒包装。

产品附件非常简单，只有一份说明书。

产品本体是标准的2.5寸SSD。

SSD的接口为SATA 6Gbps。

产品测试平台：

简单介绍一下测试平台。

用到的主板是技嘉的Z270-PHOENIX GAMING。

内存是海盗船的DDR4 8G*4。实际运行频率是2666C15。

显卡采用的是迪兰恒进的VEGA 64水冷版。

SSD是三块INTEL，系统盘用的是比较主流的535，会拿来作为SATA SSD的参考成绩。

散热器是酷冷至尊冰神G360RGB 。

电源是海韵的750 PRIME。

测试平台是Streacom的BC1。

产品性能测试：

这边启用了一套新的测试标准用于横向对比。测试环境为SSD经过全盘擦写和重新分区，消除新盘的鸡血状态。

连续读写性能选取HD Tune的大文件读写测试，文件大小为50GB。

4K随机性能采用IOMeter混合读写，分别进行QD1的浅队列和QD32的深队列测试。因为日常使用中不会存在纯粹的读写行为，会在读写测试中反向混入25%的负载（例如读取测试中75%读取，25%写入）。

现在部分SSD会通过玩命调教固件来提升4K的随机数值，所以这边引入4K离散值统计来让那些表面SSD露出原型。公式中会包含对不同SSD IOPS平均值的补偿，不会出现性能低的SSD，离散会较低的BUG。

IO延迟的部分则会采用AS SSD 10G文件测试，连续三次读写延迟的数据取平均值。

以下为横向统计的图表，相对于其他的SATA SSD来说，860 EVO的优势还是比较大的。

下图是离散部分的测试，可以看到在QD1浅队列下860 EVO的离散稳定性比较相当好。在QD32深队列下860 EVO的读取依然比较稳定，但是写入性能波动比较大，应该是SLC缓存持续介入导致的。

因为写入离散的问题，所以最终我没有选择用860 EVO作为我目前SSD横向对比的测试标杆。

常规产品性能测试大致会分为三段。

开箱性能测试，这个环节可以测试出SSD在最好状态下大致可以达到什么性能。

压力测试，这个环节通过长时间满载写入，用于测试SSD在极端压力下性能会到什么程度。

日常状态测试，在压力测试之后，会通过一小时待机和重新分区让SSD重新恢复，来体现日常使用中的性能表现。

这里首先抓最有看头的SSD压力测试。在新盘状态下HD Tune的读写曲线大致在336MB/307MB的程度。可以看到860 EVO同样有设置SLC缓存， SLC缓存中性能可以达到375MB左右，大小约为8G。读取性能显得比较一般，曲线也不是很好看，但是写入性能表现较好。

对SSD的擦除采用HD Tune对SSD进行持续擦写，截图中可以看到860 EVO的写入速度始终维持在300~350之间，这个表现对于一颗250G SSD来说已经是相当好了。这边对SSD连续写入了一个小时。

在完成压力测试后读写性能大致在337MB/254MB这样，读取变化不大，写入有衰减但不算特别严重。

在待机一小时之后，读写性能提升到356MB/302MB。写入曲线恢复了比较多，表现已经算不错了。

在重新分区刷新后，读取性能进一步提升到372MB，但随机性能下降较大。写入性能则出现了比较大的下降，仅有283MB左右。

可见三星的SSD如果测试新盘，也是有点表面的。

常规跑分测试：

HD Tune的测试在擦写前后读取性能大致持平，但是写入性能掉的比较明显。

然后看一下不同测试软件的跑分情况，AS SSD也是1200分左右，目前大部分SATA SSD都会优化到这个分数。

anvils storage utilities 中各项数据都比较稳定，尤其因为860 EVO持续写入性能较强，所以32G大文件测试也没有明显的衰减。

CrystalDiskMark、TxBENCH、ATTO这三款软件现在已经变成表面SSD的乐园，所以大家参考一下即可。

简单总结：

关于产品的性能：

就绝对性能而言，三星860 EVO的表现还是相当不错的，对比群联/东芝方案的SSD有非常大的优势。

关于产品的离散表现：

就离散表现来说，三星 860 EVO总体比较稳定，不过深队列写入离散有些大，所以影响到了最终评分。

总体来说，三星860 EVO给人的感觉还是比较好的，各项性能都表现不错，所以可以说代表了目前3D TLC产品第一梯队的表现。