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Intel的委屈谁懂?10nm难产 但比对手7nm都好
2018-05-08 13:25:38  出处:超能网  作者:孟宪瑞 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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最近一段时间Intel承受了很多争议乃至非议,这个即将满五十周岁的老牌半导体公司似乎要输给三星、台积电这些后辈了。

要知道,台积电当初做代工也是得到了Intel悉心指导的,没想到现在被台积电、三星各种领先,特别是10nm工艺节点被这两家甩开。

普通人之所以有这样的认识,其实根源在于半导体知识太复杂。Intel在半导体制造领域依然具有极强的实力,他们的10nm工艺晶体管密度要比三星、台积电的7nm工艺还要好,就是难产了点。

Intel的委屈谁懂?10nm难产 但比对手7nm都好

在许多人的认知里,三星、台积电超越Intel很大程度上是都被XXnm的数字迷惑了,表面上看7nm比10nm先进,10nm比14nm先进,但背后代表的半导体技术太复杂,早就不是线宽所能代表的了。

三星、台积电在16/14nm FinFET节点上第一次超越Intel,尝到了营销上的甜头,所以后面的工艺命名有很多营销成分,比如16nm优化下就成了12nm工艺,14nm优化下成了12nm LP工艺,相比之下Intel只敢叫14nm、14nm+、14nm++等等,要老实很多。

当老实人的代价就是会吃亏,即便是在10nm节点,三星、台积电后面还会衍生出8nm之类的工艺,让人看的眼花撩乱,摸不清来龙去脉。

对于这个问题,Intel早前也表示过他们的无奈,也反击过这种衡量工艺的水平,推出了全新的公式:

Intel的委屈谁懂?10nm难产 但比对手7nm都好

在这个公式中,Intel认为衡量半导体工艺的重要指标是晶体管密度,上面具体算的过程大家就不要管了,反正是行业内认识才会关注的。

在这样的形势下,Intel对比其他家公司工艺时就有了优势了,去年的制造日会议上,Intel就对比过其他家公司的工艺情况:

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14nm工艺的情况

先说14nm工艺,别看Intel直到现在都在缝缝补补14nm工艺,但是与其他家对比优势明显,晶体管密度是20nm工艺的134%,而其他两家只不过说104%、109%。

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10nm节点工艺对比

10nm节点上,Intel表示他们的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2,就是每平方毫米1亿个晶体管,是14nm工艺的两倍多。

那么与其他家的对比呢?Semiwiki日前讨论到了三星的10nm、8nm以及7nm工艺情况,其中10nmm工艺的晶体管密度是55.10MTr/mm2,8mm是64.4MTr/mm2,7nm工艺也不过101.23MTr/mm2。

原文称,三星这个晶体管密度比之前计算的Intel 10nm工艺密度要低,比Globalfoundries、台积电的7nm工艺晶体管密度要略高一些。

换句话说,Intel的10nm工艺晶体管密度就相当于三星、台积电、GF的7nm工艺了,表面上看落后了一代甚至两代,但是Intel在技术指标上实际上要比他们领先。

所以这是不怪Intel郁闷,不是他们不努力,而是对手太狡猾,先声夺人在工艺命名上夺得优势了。

Intel无力回天,反正那些投资者、分析师们也不去关注这些技术细节,问的都是你们的10nm为什么难产呢?

为什么难产?Intel也解答不出来,大概是因为他们怀了一个哪吒吧,出生时间就要比别人多两年。

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