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Baseus倍思最新无线充电器采用微硕高性能MOS
2018-02-03 07:36:16  出处:充电头网  作者:elen 编辑:随心   点击可以复制本篇文章的标题和链接
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倍思是一家技术创新型公司,其最新的无线充电器,采用了微硕高性能MOSFET。今年苹果iPhone 8的发布,正式把无线充电推向风口。

无线充电在过去只有很少部分的手机才支持,今年苹果3款新机全部支持无线充电,可见苹果对无线充电普及的决心。

Baseus倍思最新无线充电器采用微硕高性能MOS

我们都知道苹果的iPhone手机出货量是很大的,并且国产厂商还会跟进在手机上支持无线充电接收,这对整个无线充电行业的市场是一个非常大的利好。

Baseus倍思最新无线充电器采用微硕高性能MOS

通过充电头网的拆解了解到,Baseus倍思最新无线充电器采用微硕高性能MOS。这款无线充电板是由4颗MOSFET组成一个H桥驱动器,由无线充电器内部的控制器控制,驱动4颗MOSFET改变发射线圈中的电流方向从而产生电磁波,手机接收端接受电磁波进行无线充电。

这也就是说,每一个无线充电器,即使只有一个线圈,也需要4颗MOSFET来驱动,多个线圈就需要更多的MOSFET来驱动。

Baseus倍思最新无线充电器采用微硕高性能MOS

微硕WSP4884在传统SO8封装中集成了两个MOS,只需两颗微硕WSP4884即可组成完整的线圈驱动,这样可以在严苛的占板面积下提供尽可能高的功率密度,应对现在无线充电器越做越轻薄的要求。同时微硕WSP4884采用先进的高密度技术,提供同类产品中相对小的Ciss和RDSON。

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