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从内存时序的角度告诉你 三星B-DIE为何成为高端所用
2017-11-03 16:59:11  作者:sunshine 编辑:sunshine     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

很多时候,记忆决定了我们是什么人,让我们不忘往事,学习并记住新技能,以及为我们的人生做规划。像计算机常常扮演人的延伸这一角色,内存也起到同样的作用。

从内存时序的角度告诉你 三星B-DIE为何成为高端所用

说到内存,我们都知道它是与CPU进行沟通的桥梁,在暂时存放CPU运算数据、与硬盘等外部存储器进行数据交换等方面发挥着不可或缺的作用。所以,内存的性能对一台计算机的影响非常大。

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我们在选购内存时,一般会重点关注内存频率的大小,因为频率越高,内存性能越好。这也是为什么很多商家选择把频率标注在最显眼地方的原因。不过除了频率,内存还有一个重要的指标值得我们关注,那就是时序。内存时序应该如何解读?是越大越好还是越小越好呢?

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内存时序由四个数字组成,表示内存工作的速度或者延迟,和内存频率一样,同样代表了一款内存性能的高低。我们以影驰名人堂DDR4-3600内存时序为例,从左到由的数字分别对应的参数名词为CAS(CL),TRCD,TRP,TPAS。

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我们可以把内存存储的地方想象成格盘,每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据,就会向内存发出指令,告诉它所需要数据的具体坐标。比如说需要的数据坐标为C1。那么内存就要先确定数据在哪一行。所以时序的第二个参数TRCD,就是指内存控制器接收到行的指令后,需要等待多长时间才能访问这一行。

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在确定了行数之后,内存需要进一步确定数据所在第几列,这一过程所花费的时间就是第一个参数CAS。

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第三个参数TRP,是指如果已经确定了一行,还需要再确定另外一行需要等待的时间。而最后一个参数TPAS,可以简单理解成内存写入或者读取数据的时间,一般而言,TPAS大于或者等于CAS+TRCD+TRP的总和。

所以,在保证稳定性的前提下,内存时序越低越好。它与频率一起,共同构成了内存性能的主要考核标准。

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在这种情况下,保持高频率在低延时状态下稳定运行,成为了高端内存需要具备的表现。在这背后,一个高性能的DRAM颗粒是必要的支撑。

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对比全球主要DRAM颗粒类型,性能参次不齐。现代的MFR和AFR IC峰值频率一般维持在3200-3333MHz(20%左右良率),60%良率集中在3000MHz;如果想超频跑到3600-4000MHz,需要加压到2V左右,时序中第一时间可以达到12,但是后两个时序(tRCD和tRP)则必须在16-18之间。

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镁光最新20nm制程的IC量产频率峰值可以达到3333-3466MHz(20%左右良率),3000MHz的良率在50%左右,极限超频上暂时没有惊艳之处;

从内存时序的角度告诉你 三星B-DIE为何成为高端所用

而三星的B-DIE IC以高频稳定的特点,声名在外。在极限超频时CAS(CL)、TRCD、TRP三个时序完全同步,能够保持时序C12-12-12运行在3866-4300MHz(或更高)完成各类世界记录的Benchmark。 

从内存时序的角度告诉你 三星B-DIE为何成为高端所用

综合来看,DRAM颗粒孰好孰坏,大家心中现在已然有数。三星B-DIE凭借低延时、高频率、高稳定的特点深受超频玩家钦慕,成为高端市场的娇宠,例如影驰的名人堂系列内存,就采用了三星的B-DIE IC。

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