在近日的国际固态电路会议上，Elpida宣布正在研发用于DDR3 SDRAM的高速、低功耗电路新技术。Elpida目前已经使用该新技术生产出了容量512Mb、列读取时间8.75ns、频率1.60GHz的DDR3内存。

Elpida的新技术包括一个实现高速数据访问的转换电路和一个保证DRAM内存中高速数据传输稳定性的数据读出时序产生模块。

测试结果表明，新的电路技术可以支持800MHz的输入频率和1600MHz的输出频率，后者即相当于1.6Gb/s的数据传输率。而且，即使使用更高的频率，时钟操作期间的待机电流也会有22％的下降。

Elpida表示，他们已经准备开始使用这种新技术生产DDR3内存，所用工艺为90nm技术。

目前，英飞凌和三星等公司也都纷纷投入了DDR3的研发工作，Intel也计划在2007年下半年开始支持DDR3。据市场调查公司预计，DDR3内存在今年即可进入市场，2008年占据55％的内存市场，2009年的普及率可达65％。