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Qualcomm和三星展开合作 采用10纳米制程工艺打造最新骁龙835移动处理器
2016-11-18 18:28:52  作者:sunshine 编辑:sunshine   点击可以复制本篇文章的标题和链接

2016年11月17日,纽约及首尔——Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)今日宣布,其子公司Qualcomm Technologies, Inc.(QTI)和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作,将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造Qualcomm Technologies最新款顶级处理器——Qualcomm®骁龙™835处理器。

在下一代顶级处理器中采用三星先进制程的决定,突显了Qualcomm Technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。

Qualcomm Technologies. Inc.产品管理高级副总裁Keith Kressin表示:“我们非常高兴继续与三星合作,共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用,预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能,同时也让我们能够增加诸多全新功能,从而提升未来的移动终端用户体验。”

今年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示:“我们很高兴有机会与Qualcomm Technologies进行密切合作,采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑,此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中,骁龙835正是其后续产品。

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