Digitimes报道，根据报道发表评论。

根据Hynix的网站，目前公司量产的最大容量的NAND闪存为4Gbit。而8Gbit NAND闪存则仍被标为“开发中产品”。不过有消息称，Hynix将会于本月底开始推出8Git样品，客户们最快下个月就能够得到供货了。

Hynix公司的8Gbit闪存并不是单个的8Gbit闪存芯片，而是由四颗2Gbit芯片封装在一起形成的。作为对Samsung和Toshiba的竞争，Hynix将不会和他们一样主要将大容量闪存供应给合约公司，公司将会主要面向销售商以进攻现货市场。

业界观察者表示，Samsung公司目前的8Gbit闪存有两种架构，单颗8Gbit闪存芯片和两颗4Gbit闪存芯片构成。而Toshiba的8Gbit芯片则全部都是采用两颗4Gbit芯片构成。另外Merrill Lynch最近还称，根据晶元产量来分，Hynix将名列第二紧随Samsung之后，而根据容量来分公司则位列第三。

在最近一段时间，Samsung公司曾通知其客户称公司的8Gbit NAND闪存下两个月供货量将会紧缺，而由于供应量的限制，大容量闪存的价格也将会出现上涨。