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VIA东山再起——C7-M喷薄欲出
2005-09-27 15:14:00  作者:orqs 编辑:orqs   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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当年VIA收购Cyrix之时,国人都为之欢呼。然而在经历了Joshua以及Samuel等几代内核之后,Cyrix3 处理器在桌面处理器市场的发展速度缓慢,被竞争对手拉开了距离。自此,Cyrix3 利用自身低功耗的优势,主攻嵌入式平台和移动处理器市场。一直以来,C3凭借功耗低的优势在移动市场中占据了一席之地,一段时期内甚至超越了AMD移动处理器。经过长期努力,VIA终于又推出了新一代C7-M处理器,有望填补在全美达退出移动处理器市场后留下的空白,再次站到Intel与AMD面前,与其共同面对移动市场。


VIA东山再起——C7-M喷薄欲出

长久以来,CPU的高功耗一直困扰用户,续航时间的缩短也令广大用户痛苦不已。无论是当年的Pentium4-M还是Athlon XP-M,都遭遇过高发热量的尴尬,致使轻薄型笔记本难产。然而,如今VIA所要做到的不仅仅是初步控制发热量,更要让轻薄型笔记本在功耗方面有所突破,从而令续航时间保持在5小时以上。如果再结合大容量电池以及其它最新电池技术,那么解决笔记本续航时间难题将不再是一个奢望。

CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能或是降低发热量,就需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力,VIA C7-M移动处理器采用90纳米制作工艺,先进的IBM SOI工艺更是对此提供了充分保障。我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线,实际上指的是一种工艺尺寸,代表在一块硅晶圆片上集成所数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说,也就是指芯片上最基本功能单元门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例,此时门电路间的连线宽度为90纳米。C7-M移动处理器在这项工艺的帮助下可以大幅度提高芯片集成度,相应的发热量与功耗也能骤减。此外,SOI变形硅技术保证了稳定的电气性能,对于降低成本也大有裨益。

通过CoolStream架构体系,C7-M移动处理器的平均功耗将小于1W,最低待机功耗甚至只有0.1W,这是此前以功耗著称的全美达处理器所无法做到的。即便是全速运行状态,C7-M移动处理器的功耗也分别是20W(2.0GHz)和12W(1.6GHz),远远低于Intel与AMD的移动处理器。更为重要的是,VIA在C7-M上采用了PowerSaver™和TwinTurbo™技术,此时将动态调整处理器频率和电压,而且变换速度快到让用户完全感觉不到。与Intel的Enhanced SpeedStep以及AMD的PowerNow!技术相比,PowerSaver™ 技术显然在频率调整幅度与响应时间方面更胜一筹。


VIA东山再起——C7-M喷薄欲出

作为一款移动处理器,VIA C7-M所具备的不仅仅是低功耗,出色的性能与高度的安全性表现同样令人对其刮目相看。由于完全沿用了X86架构,因此C7-M决不会像当年的全美达处理器那样表现出“低功耗低性能”的尴尬,而且先进的缓存架构与SSE3多媒体指令集让CPU的整数性能与浮点性能同样出色。尽管对比当前的迅驰II以及炫龙处理器时C7-M还难以在性能方面超越对手,但是移动处理器更加看重综合表现,因此C7-M今后的市场潜力将十分看好。

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