日前三星公司发布了业界首款采用90nm工艺制造的256Mb UtRAM。UtRAM是三星和Hynix共同开发的技术，采用由单一晶体管与电容所组成的低耗能储存单元，完全与标准SRAM兼容。

UtRAM内存能够为手机存储提供无可匹敌的速度，兼容性和存储密度。三星最新的133MHz的这款产品，将比目前市面上任何的Pseudo-SRAM(类静态随机存取内存)都快，并且其数据处理速度也将比目前80MHz的pseudo-SRAM快上1.7倍。

三星称，该产品将会作为单独设备或者关键部件被用在多芯片存储系统中，目前手机就普遍采用才系统。UtRAM预计将会在2005年底开始量产。而这款产品预计也将会为三星公司夺取更多的市场份额，目前三星公司占据了30％的份额，但是预计到2008年，三星公司的销量每年将增长33％。

三星将会在本月底向手机制造商提供样品。