除了发布基于第二代V-NAND立体堆叠闪存的950 PRO、950 EVO，三星今天还透露了第三代V-NAND闪存的产品规划。

V-NAND第二代堆叠了32层，单Die容量为128Gb，第三代则提升至48层、256Gb，因此无需其他任何调整，也能让固态硬盘整体容量翻一番。

不过，新一代会用于当前这代的850 PRO，其最大容量刚刚从1TB扩充至2TB，成为史上第一款2TB容量的消费级2.5寸固态硬盘，而接下来的2016年初，它将升级到4TB。

M.2规格的850 EVO最大容量也将类似地从512GB翻番为1TB。

这种做法实在让人很迷茫：850系列开始升级第三代堆叠闪存，950系列则还是第二代……

不过，新发布的950 PRO明年也将迎来第三代闪存，最大容量从512GB扩展到1TB。

企业级领域，PM1725也将引入第三代对得闪存，配备八通道PCI-E，随机读取IOPS将超过一百万。

863系列也会跟上，但是三星没有具体明说，预计会看到PM863 7.68TB、SM863 3.84TB。

最后，为了突出V-NAND技术，今后凡是使用它的产品，都会打上一个新设计的专门LOGO。