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三星发布mSATA/M.2 850 EVO:又见3D闪存
2015-04-01 22:47:07  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

虽然东芝/闪迪Intel/美光都宣布了很牛叉的第二代3D堆叠闪存技术,但在这个领域,三星电子无疑是走得最快的,其第二代3D V-NAND闪存早已用在了850 EVO850 Pro两款产品上。

不过这二者都是2.5寸规格的,对于轻薄笔记本、迷你机来说有点大,所以三星再接再厉,推出了mSATA、M.2两种迷你规格的新版850 EVO。

上一代的840 EVO还只有mSATA,不过因为M.2规格更加灵活强大,尤其是支持高速的PCI-E通道,所以正在逐渐取代mSATA,未来一片光明。

除了身材迷你,mSATA/M.2 850 EVO的规格基本上和2.5寸差不多,也是三星MGX主控制器(除了1TB用的是较老型号MEX)、三星40nm 32层堆叠128Gb(16GB) TLC V-NAND闪存颗粒、TurboWrite缓存加速技术、DevSleep深度休眠技术(功耗仅仅2毫瓦/1TB 4毫瓦)、AES-256/TCG Opal 2.0/eDrive加密技术。

三星发布mSATA/M.2 850 EVO:又见3D闪存

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mSATA版容量有120GB、250GB、500GB、1TB,缓存前三者都是512MB,最后一个1GB。前两款支持每天写入41GB,终身75TB,后两者翻番到每天82GB、终身150TB。

性能方面,各容量惊人的一致:持续读写540MB/s、520MB/s,QD1 4KB随机读写10000 IOPS、40000 IOPS,QD32 4KB随机读写95000 IOPS、88000 IOPS。

功耗方面读取3.5W、写入4.3W。

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M.2 2280版的容量只有120GB、250GB、500GB,缓存均为512MB,读写寿命同上。

之所以没1TB,是因为三星用了单面设计(更适合轻薄本),只能放下两颗闪存。要说三星这16 Die封装技术已经很牛了,业内独一份。东芝也有,但良品率很低,导致成本高达1GB 1美元,是一般的三倍多。美光的则还停留在纸面上。

性能方面不同容量也都是一样的:持续读写540MB/s、500MB/s,QD1 4KB随机读写10000 IOPS、40000 IOPS,QD32 4KB随机读写97000 IOPS、89000 IOPS。

没错,它虽然是M.2接口,但走的还是SATA 6Gbps通道,所以性能基本也就顶天了,这无疑是最为遗憾的。至于会不会有PCI-E通道版本的,三星没说。

功耗方面读取2.4W、写入3.5W。

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mSATA/M.2 850 EVO在全球53个国家和地区同时推出,价格方面以美国亚马逊为例,四种容量分别要80美元、130美元、228美元、450美元,相比于mSATA 840 EVO低容量的便宜一点,高容量的贵了一点。

对比其他产品,它们不是最便宜的,但很有竞争力,特别是完整保留了2.5寸版850 EVO的灵魂,还有五年质保。

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AnandTech已经对mSATA 250GB/1TB、M.2 120/500GB进行了详细的性能测试,并对比了850 Pro 512GB、850 EVO 1TB。因为之前已经考察过2.5寸版850 EVO的性能,这次基本就是换了个形态,所以并没有太多惊喜,就不详细介绍了。这里摘取一部分图表给大家瞅瞅。

【128KB持续读写性能、功耗(QD1/2/4平均值)】

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读取都挺好,就是1TB的略微弱点,功耗还高。

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写入方面容量很重要,500GB优势突现,但是1TB严重掉链子。

【4KB随机读写性能、功耗(QD1/2/4平均值)】

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其他挺好,就是1TB的再次严重拖后腿,性能功耗都很差劲,咋搞的?

【ATTO传输尺寸与读写性能】

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不错不错,都挺稳当,也发挥了应有的速度,1TB也难得合格一次。

【性能一致性】

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mSATA 1TB的很糟糕,持续间歇性停顿,甚至会超过50秒,绝不是正常的后台垃圾回收,肯定会对日常使用产生不良影响,弄不好就容易假死、卡顿。是因为主控太老了吗?暂时还不得而知,已经告知三星但尚未有回复。

【深度待机功耗】

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很好很好,不过还是比850 Pro差了点。

【TIRM】

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一切正常。

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