3D闪存最近突然热闹起来了。东芝和闪迪联合推出了48层堆叠，Intel和美光则拿出了业内最大容量的，单颗可达32GB MLC、48GB TLC。

很认真的AnandTech又根据资料研究了一下这种闪存的核心面积、存储密度，结果真的挺震撼。

Intel在一段视频中秀了下该闪存所用的晶圆(直径300毫米)，可以数出横向最多25个核心(确切地说叫Die)，垂直最多19个。考虑到边缘的那些残缺Die是没法用的，每两个Die之间还有空隙，因此估算下来每个Die的面积应该是大约175平方毫米。

嗯看起来和Intel美光此前的平面性16nm 128Gb MLC闪存在面积上是差不多的。

其实，这两家从来都不是很在意将闪存单元面积做得很小，所以看上去比其他厂家的大很多。这一代3D闪存用的是四层平面设计，Intel和美光说如果客户愿意也可以再设计双层平面的，会小不少。

接下来存储密度就很好算了：

384Gb(48GB) TLC的创造了一个新纪录，大大超出了三星的第二代3D闪存，256Gb(32GB) MLC的也不错，看来宣传果然不是吹的。

AnandTech分析认为，Intel和美光在闪存阵列效率(用于存储单元的比例)的设计上非常优秀，因为外围电路不需要做太多修改，可以把更多资源用于存储部分。

估计这个效率能达到约85％，这要比三星同样32层的设计高很多，后者86Gb MLC、128GB TLC的效率只有66％、72％。

Intel你可是说这闪存能做出来3.5TB M.2、10TB 2.5寸固态硬盘的，就等你了啊。