Intel已经和康宁（Corning）公司达成联合开发协议，共同致力于发展40纳米以下工艺中超短紫外线（EUV）平版印刷术和晶体管结构半导体所需要的超低热膨胀（ULE）玻璃光掩膜衬底技术。

几年来，EUV一直被认为是下一代芯片技术的关键所在。在去年八月发布第一个EUV平版印刷单元之后，Intel正慢慢地将此技术带出实验室，引入实际应用领域。第一个使用EUV技术的芯片有望在2009年问世。

这次和康宁达成的协议的目标是开发EUV光掩膜所需的衬底，以保证使用EUV平版印刷术的32纳米节点可用于实际生产，最终实现30至40纳米工艺下晶体管结构半导体产品的大规模量产。

在现在的80纳米和下一代65纳米半导体生产工艺中，用来蚀刻晶体管的是193纳米波长的光。根据Intel的说法，这种光所能蚀刻的晶体管最小为50纳米，此后，EUV平版印刷术将取而代之，从而使得生产商可以在将来使用13.5纳米波长的光制造更小的晶体管。

现在，EUV光掩膜的开发足够工程师和研究员们忙上一阵子了。比如说，一个简单的物理学原理就带来了不小的挑战：在印刷过程中，由于热量的产生，光掩膜衬底体积的改变是难以避免的，而现在的要求是，如果有10℃的温度增长，材料至多只允许有1.5纳米的膨胀。