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Intel 14nm Broadwell疯狂爆发:可惜 还是胶水!
2015-01-06 15:08:24  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

去年9月,Intel正式发布了14nm工艺处理器,但首批仅限超低压版本Broadwell-Y,而且仅有区区三款型号,虽然起了个特别的名字Core M也没有掀起多大风浪。

今天,第二波来了,是低压版的“Broadwell-U”,按照Intel的世代划分方法,Broadwell家族都属于第五代酷睿。

除了新工艺,这次变化最大的地方就是核显升级到了第八代,拥有一系列架构和技术上的革新,规格也大大提高(稍后详细解读)。

根据核显规格不同,Broadwell-U系列中分为四种不同配置:

28W GT3Iris 6100,48个执行单元,比上代顶级Iris 5100多了五分之一,不过没缓存,得等更高级的的Iris Pro 6200。

15W GT3HD 6000,也是48个执行单元,但是频率略低一些。

15W GT2HD 5500,执行单元减半至24个,而低端i3是奇怪的23个。大概是因为良品率的缘故,但奇数个核显单元如何管理暂时不详。

15W GT1最普通的HD Graphics,其实还是Broadwell家族的,12个执行单元。

正是因为核显的不同,Broadwell-U有两个芯片版本,其一是48单元的完整版(6×8子区块分布),19亿个晶体管,内核面积133平方毫米;其二是24个单元的精简版(3×8子区块分布),13亿个晶体管,内核面积82平方毫米。

可以看出,Broadwell-U的核显采用了分成两部分的方式,每一部分24个单元,用了差不多6亿个晶体管、41平方毫米。

相比之下,上一代22nm Haswell-U的晶体管是最多13亿个,面积是181平方毫米。换言之,晶体管数量增加了46%, 面积却减小了26%!这就是14nm的魅力。

24个单元对比20个单元的,晶体管则增加了2.4亿个。

Intel 14nm Broadwell疯狂爆发:可惜 还是胶水!
完整版内核图

Intel 14nm Broadwell疯狂爆发:可惜 还是胶水!
完整版内核结构图

Intel 14nm Broadwell疯狂爆发:可惜 还是胶水!
完整版芯片照:左边大的是CPU,右边小的是芯片组,仍然胶水封装

Intel 14nm Broadwell疯狂爆发:可惜 还是胶水!
精简版芯片照:可以看出左边CPU小了很多

Intel 14nm Broadwell疯狂爆发:可惜 还是胶水!
合个影,对比更明显

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