用TLC的iPhone有什么表现？

那么用TLC的iPhone会有什么样子的表现呢？首先就是开机慢、加载慢，相对于使用MLC的iPhone6，使用TLC的版本在开机、加载程序等等环境上要慢大约20-30%的时间。这些时间其实并不是那么容易被察觉，所以也就是无所谓的事情了。

iPhone6的TLC与之前网上盛传的死机门之间有着莫大的关联

Zero Fill（全零填充）测试 来自于HKEPC

Random Fill（随机填充）测试 来自于HKEPC

iPhone 6 Plus MLC/TLC开机速度测试视频：

http://v.youku.com/v_show/id_XODMyNjA1NjIw.html

iPhone 6 Plus MLC/TLC 文字输入流畅度测试视频：

http://v.youku.com/v_show/id_XODMyNjA0NjUy.html

此外使用TLC闪存的iPhone6会有更高的几率出现闪退、死机、重启等等情况。而iPhone本身是一台不希望我们关机的手机，这从某些角度上完全违背了iPhone的设计理念。如果这是一台游戏机，死机就死机了，但是如果这是一台手机的话，这种问题很可能会耽误正事儿。

为什么TLC的iPhone会有问题？

从理论上来讲TLC只是一种存储单元的设定模式，在他达到他的寿命之前，毫无疑问他不应该产生任何问题。在出现故障以前，无论我们的存储设备使用的是SLC、MLC、SLC我们都不应该有明显感觉才对，。当然由于TLC的存取模式更为复杂，所以存取时间会更加缓慢，对应的性能也会降低。

我们可以简单把TLC闪存很不科学分为SLC层MLC层TLC层 并且逐层填满 就可以保证速度

至于那些闪退，死机等等现象是怎么产生的呢？我们都知道，SLC闪存是几乎不需要磨损管理的；MLC闪存由于寿命相对有限，所以必须通过磨损管理来避免局部损坏；而TLC闪存的寿命往往只有1000次，虽然从宏观上来看是一个很大的量，但是如果我们把读写局限在一个很小的区域内，1000次会很快磨损掉。

为了避免这种磨损，TLC闪存需要非常高强度的磨损管理，需要尽可能的随时随地的让写入不停留在固定区域。为了避免这种现象，他甚至会定期移动已经保存好的数据（比如照片、视频），哪怕这些文件很长时间根本不被使用。

平均磨损算法示意 极简言之 就是强制数据顺序写入 哪怕长期不用的也要挪一下

平均磨损算法是一个非常复杂，而且依赖于性能，在执行的时候有可能导致很高的开销，如果这个平均磨损的过程不合理，或者在执行平均磨损的过程中进行其他操作，就有可能导致死机等等问题，之后的事情我就不需要说了吧。