三星电子今天宣布，已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。

这是主要面向服务器应用的RDIMM条子，上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒，每一个都封装了4个4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片，单颗容量2GB，并采用三星先进的2xnm工艺制造，不过三星并未公布频率、电压等规格。

如此高的密度要感谢TSV技术。这是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式，可将多个芯片堆叠起来，提升容量和性能。

三星在2010年的4xnm 8GB内存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，现在是第一次用于DDR4。

事实上，随着半导体集成度的提高，很多地方都纷纷开始了3D堆叠，三星此前就宣布已经投产第二代3D V-NAND立体闪存，创下存储密度新高。

三星这次堆叠了四层

走线堆叠VS.硅穿孔堆叠