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一张图告诉你Intel的工艺有多牛B!
2014-08-25 08:24:25  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

之前我们详细了解过Intel 14nm工艺的过人之处,但那基本只是单一的介绍,没有和其他厂商、其他工艺的正面对比。日本同行PCWatch近日也对Intel新工艺做了一番解析,更加凸显了世界第一芯片巨头的强悍。

Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管,14nm上将进化到第二代,其他厂商则会陆续上马类似的FinFET,包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。

来看看几个工艺的间距数据:

一张图告诉你Intel的工艺有多牛B!

Intel 14nm的栅极间距为70nm,内部互联最小间距为52nm,这两项指标分别比22nm缩小了22%、35%。

相比之下,台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm,前者只相当于Intel 22nm的水平,后者也略弱一些,而内部互联最小间距则都是64nm,相比于Intel大了23%。

这些间距越小,就可以把晶体管做得更小、更密,对于电路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。

一张图告诉你Intel的工艺有多牛B!
Intel近几代工艺进化史

 

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