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三星3D闪存多牛逼?能用280年!
2014-07-08 19:29:09  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

半导体技术正在进入立体堆叠时代,CPU处理器、DRAM内存、GPU显存、NAND闪存都先后开始向3D方向发展,其中三星的3D V-NAND立体闪存已经进化到了第二代,并在日前发布了首款面向消费级市场的立体闪存固态硬盘850 Pro

由于还是2.5寸的SATA 6Gbps规格,性能上已经没有太大作为,不过三星宣称,V-NAND立体闪存在极大提升容量密度的同时,使用寿命也大大增加,最高可达2D平面闪存的10倍,但奇怪的是,850 Pro标称的最大数据写入量只有150TB,相当于840 Pro的两倍而已。

真有这么牛?AnandTech近日对此进行了专门的深入考察。

首先是和固态硬盘耐用性相关的几个概念:

编程/擦写循环(P/E Cycle):闪存寿命的关键指标,耗尽之后就没法用了,根据闪存颗粒、工艺不同而不同,一般来说SLC>MLC>TLC、工艺越先进越少。

损耗均衡技术(WLC):S.M.A.R.T.属性中的一个参数,初始值100,随着设备的使用而降低,最后变为0,伺候仍可继续使用很长一段时间(JEDEC规定能在一年内保持数据),但可靠性无法保证。

写入放大系数(WAF):闪存写入量与主控写入量之比,越小越好。

三星3D闪存多牛逼?能用280年!

【P/E次数计算】

为了计算850 Pro 3D闪存的P/E,向固态硬盘写入队列深度为1的128KB持续数据,记录每次测试后的S.M.A.R.T. WLC数值和写入量,重复十几次就能推算出总的P/E。

三星3D闪存多牛逼?能用280年!

结果发现,经过60次P/E之后,WLC数值就会减少1,因此总寿命是大约6000 P/E,相当于现在2D MLC闪存的大约两倍。

那,10倍在哪里?

1、三星撒谎了,根本没有10倍。

2、三星在850 Pro上用的是质量较低的3D闪存,更高级的留给企业级产品。

3、三星故意限制了850 Pro的寿命,好让企业用户多花钱去买高级产品。

【数据写入量计算】

不管是哪样,现在可以计算出850 Pro的终身写入量了:

三星3D闪存多牛逼?能用280年!

假如每天主控写入100GB,写入放大系数为3x,那么即便是128GB型号也能用7年之久,而这种写入已经大大超出普通用户的日常操作。

如果是每天主控写入20GB,写入放大系数1.5x,1TB型号就能用280多年!

当然啦,150TB的限制只考虑了低放大系数的持续数据,是一种理想情况,高放大系数的随机数据坚持不了那么多,但是三星表示,设置这个门槛,只是为了不让850 Pro用在写入密集型的企业环境中而已,普通用户根本不用担心。

【写入放大系数计算】

刚才是最好的局面,现在来看最差的,改用队列深度32的4KB随机数据进行反复写入。以128GB型号为例,此时的一个P/E相当于闪存写入129GB。

三星3D闪存多牛逼?能用280年!

实际得到的写入放大系数约为11x,对如今的消费级固态硬盘来说属于正常范围,其实一般家庭用户那里基本都不会超过2x。

三星3D闪存多牛逼?能用280年!

此时,128GB型号可最多写入不到70TB,1TB的则能坚持550TB,相当于两天多点一次全盘写入。

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